CARACTERISTICAS:
\n\u2022 ALTO RENDIMIENTO E2CMOS\u00ae TECNOLOG\u00cdA
\n– 5 ns demora de propagaci\u00f3n m\u00e1xima
\n– Fmax = 166 MHz
\n– 4 ns m\u00e1xima de reloj de entrada a salida de datos
\n– UltraMOS\u00ae avanzada tecnolog\u00eda CMOS
\n\u2022 50% a 75% REDUCCI\u00d3N EN EL PODER DE BIPOLAR
\n– 75 mA Typ Icc en Baja Dispositivo de alimentaci\u00f3n
\n– 45 mA Typ Icc en Barrio Dispositivo de alimentaci\u00f3n
\n\u2022 ACTIVE PULL-UPS EN TODAS PINS
\n\u2022 E2 TECNOLOG\u00cdA CELULAR
\n– L\u00f3gica Reconfigurable
\n– Las c\u00e9lulas reprogramables
\n– El 100% probado \/ 100% Rendimientos
\n– El\u00e9ctrico de alta velocidad Erasure (<100 ms)
\n– 20 a\u00f1os de retenci\u00f3n de datos
\n\u2022 OCHO macroceldas L\u00d3GICA DE SALIDA
\n– M\u00e1xima flexibilidad para los Dibujos y l\u00f3gica compleja
\n– Polaridad de salida programable
\n– Tambi\u00e9n Emula Dispositivos Pal\u00ae 24 pines con la funci\u00f3n completa \/
\nFusible Mapa \/ param\u00e9trico Compatibilidad
\n\u2022 precarga y restablecimiento al encendido de todos los registros
\n– 100% funcional Comprobabilidad
\n\u2022 Las aplicaciones incluyen:
\n– Control DMA
\n– Control de la M\u00e1quina de Estado
\n– El procesamiento de gr\u00e1ficos de alta velocidad
\n– Actualizaci\u00f3n de l\u00f3gica est\u00e1ndar velocidad
\n\u2022 FIRMA ELECTR\u00d3NICA PARA LA IDENTIFICACI\u00d3N<\/p>\n
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